硅通孔

硅通孔（TSVs）是一种先进的三维互连技术，也是实现 3D 集成封装的关键组件。TSVs 采用垂直互连模组，由此提高了电学性能（例如高导电性和低电阻电容延迟），具有更低的功耗，成为影响 3D 集成电路性能的重要因素。

类似的，TSVs 允许使用不同流程节点和不同制造技术的多相模块的集成。TSVs 显著增加了逻辑芯片和存储器（特别是存储器接口）之间的带宽，而传统的键线却无法实现这一点。然而，TSVs 的可靠性依然令人担忧，实践证明，热循环/退火会引起 TSVs 的机械故障。铜和硅晶片热膨胀系数的差异会导致相当大的热应力，由热应力引起的铜挤压会导致硅通孔和相邻的互连结构失效，从而影响器件的性能。

TESCAN 可以为半导体和封装行业提供多种系统和探测器，以实现对 TSVs 中应力水平和铜挤压的分析研究。我们的高性能扫描电镜系列(MIRA3, MAIA3)可以实现对 TSVs 挤压和横截面物理检测的高分辨以及超高分辨成像。双光束系统允许对故障点进行精确定位，并通过单个仪器对这些故障点进行局部检查和表征。 TESCAN 的 Xe 等离子源双束电镜 (FERA3 和 XEIA3)为硅通孔的高通量分析提供了必要的性能和速度。